IRF5803D2參數(shù)：MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單設(shè)計(jì)資源： IRF5803D2SaberModel IRF5803D2SpiceModel標(biāo)準(zhǔn)包裝：95系列：FETKY™包裝：管件FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：二極管（隔離式）漏源極電壓(Vdss)：40V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：3.4A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：112毫歐@3.4A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：37nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1110pF@25V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SO
