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IRF5803TRPBF

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聯(lián)系人：肖小姐

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聯(lián)系人：肖小姐

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晶體管

相關(guān)型號(hào)： IRF5803TR IRF5803D2TRPBF IRF5803D2TR IRF5803D2PBF IRF5803D2 IRF5802TRPBF

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IRF5803TRPBF參數(shù)：MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
設(shè)計(jì)資源： IRF5803TRSaberModel IRF5803TRSpiceModel
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：40V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：3.4A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：112毫歐@3.4A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：37nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1110pF@25V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSOP（0.059"，1.50mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：Micro6?（TSOP-6）

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