IRF5802TRPBF
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IRF5802TRPBF參數(shù)：MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
設(shè)計(jì)資源： IRF5802TRSaberModel IRF5802TRSpiceModel
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：150V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：900mA
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：1.2歐姆@540mA，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：5.5V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：6.8nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：88pF@25V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSOP（0.059"，1.50mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：Micro6?（TSOP-6）