IRF5803D2TRPBF
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IRF5803D2TRPBF參數(shù)：MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
設計資源： IRF5803D2SaberModel IRF5803D2SpiceModel
標準包裝：1
系列：FETKY™
包裝：剪切帶(CT)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：二極管（隔離式）
漏源極電壓(Vdss)：40V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：3.4A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：112毫歐@3.4A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：37nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1110pF@25V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應商器件封裝：8-SO