IRF7338PBF
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IRF7338PBF參數(shù)：MOSFET N+P 12V 6.3A/3A 8-SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
PCNObsolescence： Gen8Rev208/Jul/2011
標(biāo)準(zhǔn)包裝：95
系列：HEXFET®
包裝：管件
FET類型：N和P溝道
FET功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓(Vdss)：12V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：6.3A，3A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：34毫歐@6A，4.5V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：8.6nC@4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：640pF@9V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SO