IRF7329TRPBF
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IRF7329TRPBF參數(shù)：MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個(gè)P溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓(Vdss)：12V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：9.2A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：17毫歐@9.2A，4.5V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：900mV@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：57nC@4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：3450pF@10V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SO