IRF7338PBF參數(shù)：MOSFET N+P 12V 6.3A/3A 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列PCNObsolescence： Gen8Rev208/Jul/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝：95系列：HEXFET®包裝：管件FET類型：N和P溝道FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：12V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：6.3A，3A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：34毫歐@6A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：8.6nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：640pF@9V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SO