FDFM2N111參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：二極管（隔離式）漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：4A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：100毫歐@4A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：3.8nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：273pF@10V功率-最大值：800mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-MLP，Power33供應(yīng)商器件封裝：MicroFET3x3mm
