FDFMA2P859T
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FDFMA2P859T參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準包裝：3,000
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：二極管（隔離式）
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：3A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：120 毫歐 @ 3A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：6nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：435pF @ 10V
功率 - 最大值：700mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-WDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：6-MicroFET（2x5）