FDFME2P823ZT參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：5,000系列：PowerTrench®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：二極管（隔離式）漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：2.6A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：142 毫歐 @ 2.3A，4.5V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：7.7nC @ 4.5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：405pF @ 10V功率 - 最大值：600mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-UMLP，6-MicroFET?供應(yīng)商器件封裝：6-MicroFET（1.6x1.6）
