【供應】TK39J60W,S1VQ
- 產品型號：TK39J60W,S1VQ
- 生產廠家： Toshiba
- 產品規(guī)格：TO-3P-3，SC-65-3
- 供應商：查看供應商>>
美元參考價格
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1pcs： $9.75000/pcs
- 向供應商詢價>>
25pcs： $7.99520/pcs
100pcs： $7.21500/pcs
250pcs： $6.63000/pcs
500pcs： $6.04500/pcs
1000pcs： $5.26500/pcs
2500pcs： $5.07000/pcs
5000pcs： $4.87500/pcs
10000pcs： $4.77750/pcs
詳細信息
特色產品：
DTMOSIV Superjunction MOSFETs
標準包裝：25
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：38.8A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：65 毫歐 @ 19.4A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 1.9mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：110nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4100pF @ 300V
功率 - 最大值：270W
安裝類型：通孔
封裝：TO-3P-3，SC-65-3
供應商器件封裝：TO-3P（N）
標準包裝：25
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：38.8A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：65 毫歐 @ 19.4A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 1.9mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：110nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4100pF @ 300V
功率 - 最大值：270W
安裝類型：通孔
封裝：TO-3P-3，SC-65-3
供應商器件封裝：TO-3P（N）
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TK39J60W,S1VQToshiba Semico..TO-3P（N）2023+525全新原裝進口現(xiàn)貨品質保證
