【供應(yīng)】TK35E08N1,S1X
- 產(chǎn)品型號(hào)：TK35E08N1,S1X
- 生產(chǎn)廠家： Toshiba
- 產(chǎn)品規(guī)格：TO-220-3
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價(jià)格
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1pcs： $1.63000/pcs
- 向供應(yīng)商詢價(jià)>>
10pcs： $1.47000/pcs
25pcs： $1.31240/pcs
100pcs： $1.18120/pcs
250pcs： $1.05000/pcs
500pcs： $0.91876/pcs
1000pcs： $0.76125/pcs
2500pcs： $0.70875/pcs
5000pcs： $0.68250/pcs
詳細(xì)信息
特色產(chǎn)品：
Silicon N-channel MOSFETSilicon N-channel MOSFET
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：80V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：35A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：12.2 毫歐 @ 17.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 300µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：25nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1700pF @ 40V
功率 - 最大值：72W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-220-3
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：80V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：35A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：12.2 毫歐 @ 17.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 300µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：25nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1700pF @ 40V
功率 - 最大值：72W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-220-3
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TK35E08N1,S1XToshiba Semico..TO-2202023+500全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
