【供應】TK30E06N1,S1X
- 產品型號：TK30E06N1,S1X
- 生產廠家： Toshiba
- 產品規(guī)格：TO-220-3
- 供應商：查看供應商>>
美元參考價格
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1pcs： $1.45000/pcs
- 向供應商詢價>>
10pcs： $1.28700/pcs
25pcs： $1.16200/pcs
100pcs： $1.01680/pcs
250pcs： $0.89224/pcs
500pcs： $0.78850/pcs
1000pcs： $0.62250/pcs
2500pcs： $0.58100/pcs
5000pcs： $0.55195/pcs
詳細信息
特色產品：
Silicon N-channel MOSFETSilicon N-channel MOSFET
標準包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：30A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：15 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 200µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：16nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1050pF @ 30V
功率 - 最大值：53W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應商器件封裝：TO-220-3
標準包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：30A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：15 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 200µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：16nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1050pF @ 30V
功率 - 最大值：53W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應商器件封裝：TO-220-3
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TK30E06N1,S1XToshiba Semico..TO-2202023+500全新原裝進口現(xiàn)貨品質保證
