【供應(yīng)】TK31E60W,S1VX
- 產(chǎn)品型號：TK31E60W,S1VX
- 生產(chǎn)廠家： Toshiba
- 產(chǎn)品規(guī)格：TO-220-3
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價格
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1pcs： $7.48000/pcs
- 向供應(yīng)商詢價>>
10pcs： $6.72800/pcs
25pcs： $6.12960/pcs
100pcs： $5.53150/pcs
250pcs： $5.08300/pcs
500pcs： $4.63450/pcs
1000pcs： $4.03650/pcs
2500pcs： $3.88700/pcs
5000pcs： $3.73750/pcs
詳細(xì)信息
特色產(chǎn)品：
DTMOSIV Superjunction MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：30.8A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：88 毫歐 @ 15.4A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 1.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：86nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3000pF @ 300V
功率 - 最大值：230W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-220
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：30.8A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：88 毫歐 @ 15.4A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 1.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：86nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3000pF @ 300V
功率 - 最大值：230W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-220
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TK31E60W,S1VXToshiba Semico..TO-2202023+500全新原裝進口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
