SIR876DP-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：40A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：10.8 毫歐 @ 20A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：48nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1640pF @ 50V功率 - 最大值：62.5W安裝類型：表面貼裝封裝：PowerPAK? SO-8供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK? SO-8
