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SIR866DP-T1-GE3

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SIR866DP-T1-GE3 優(yōu)勢(shì)庫存

VISHAY

QFN8

2023+

8350

全新原廠原裝現(xiàn)貨

深圳市科錦電子有限公司

電話：18923786596
聯(lián)系人：肖小姐

SIR866DP-T1-GE3

Vishay Silicon..

PowerPAK? SO..

2023+

500

全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證

深圳市同亨電子有限公司

電話：18922857317(微信同號(hào))
聯(lián)系人：洪小姐

SIR866DP-T1-GE3

Vishay/Silicon..

PowerPAKregS..

2023+

6000

品質(zhì)保證,價(jià)格優(yōu)惠

深圳市同亨電子有限公司..

電話：18922857317
聯(lián)系人：洪小姐

SIR866DP-T1-GE3

Vishay/Silicon..

PowerPAKregS..

2023+

1250

全新進(jìn)口原裝現(xiàn)貨品質(zhì)保證

深圳市邁特新科技有限公司

電話：18922857317
聯(lián)系人：李

SIR866DP-T1-GE3

Vishay

PPAKSO-8

2023+

376

優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨量大可供實(shí)單價(jià)可談

相關(guān)型號(hào)： SIR862DP-T1-GE3 SIR850DP-T1-GE3 SIR846DP-T1-GE3 SIR846ADP-T1-GE3 SIR844DP-T1-GE3 SIR840DP-T1-GE3

SIR866DP-T1-GE3
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SIR866DP-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 60A PPAK 8SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
特色產(chǎn)品： N-ChannelTrenchFET?GenIIIPowerMOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：60A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：1.9毫歐@20A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.3V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：107nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：4730pF@10V
功率-最大值：83W
安裝類型：表面貼裝
封裝：PowerPAK?SO-8
供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK?SO-8

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