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SIR484DP-T1-GE3

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SIR484DP-T1-GE3 優(yōu)勢(shì)庫存

VISHAY

QFN8

2023+

8350

全新原廠原裝現(xiàn)貨

深圳市科錦電子有限公司

電話：18923786596
聯(lián)系人：肖小姐

SIR484DP-T1-GE3

Vishay Silicon..

PowerPAK? SO..

2023+

500

全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證

深圳市同亨電子有限公司

電話：18922857317(微信同號(hào))
聯(lián)系人：洪小姐

SIR484DP-T1-GE3

Vishay/Silicon..

PowerPAKregS..

2023+

1250

全新進(jìn)口原裝現(xiàn)貨品質(zhì)保證

深圳市邁特新科技有限公司

電話：18922857317
聯(lián)系人：李

SIR484DP-T1-GE3

Vishay

PPAKSO-8

2023+

443

優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨量大可供實(shí)單價(jià)可談

相關(guān)型號(hào)： SIR476DP-T1-GE3 SIR474DP-T1-GE3 SIR472DP-T1-GE3 SIR470DP-T1-GE3 SIR468DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3

SIR484DP-T1-GE3
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SIR484DP-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：20A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：8.3 毫歐 @ 17.2A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：23nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：830pF @ 10V
功率 - 最大值：29.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝：PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK? SO-8

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