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SIR470DP-T1-GE3

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SIR470DP-T1-GE3 優(yōu)勢庫存

VISHAY

QFN8

2023+

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全新原廠原裝現(xiàn)貨

深圳市科錦電子有限公司

電話：18923786596
聯(lián)系人：肖小姐

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Vishay Silicon..

PowerPAK? SO..

2023+

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全新原裝進口現(xiàn)貨品質(zhì)保證

深圳市同亨電子有限公司

電話：18922857317(微信同號)
聯(lián)系人：洪小姐

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Vishay/Silicon..

PowerPAKregS..

2023+

6000

品質(zhì)保證,價格優(yōu)惠

深圳市同亨電子有限公司..

電話：18922857317
聯(lián)系人：洪小姐

SIR470DP-T1-GE3

Vishay/Silicon..

PowerPAKregS..

2023+

9350

全新進口原裝現(xiàn)貨品質(zhì)保證

深圳市邁特新科技有限公司

電話：18922857317
聯(lián)系人：李

SIR470DP-T1-GE3

Vishay

PPAKSO-8

2023+

8334

優(yōu)勢現(xiàn)貨量大可供實單價可談

SIR470DP-T1-GE3

SILICONIX

原廠標準封裝

2023+

363

原裝進口優(yōu)勢現(xiàn)貨價格最..

相關型號： SIR468DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 SIR464DP-T1-GE3 SIR462DP-T1-GE3 SIR460DP-T1-GE3 SIR440DP-T1-GE3

SIR470DP-T1-GE3
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SIR470DP-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SOIC

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：40V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：60A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：2.3 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：155nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5660pF @ 20V
功率 - 最大值：104W
安裝類型：表面貼裝
封裝：PowerPAK? SO-8
供應商器件封裝：PowerPAK? SO-8

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