RP1E090XNTCR
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RP1E090XNTCR參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 9A MPT6

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：1,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：9A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：17 毫歐 @ 9A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：6.8nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：440pF @ 10V
功率 - 最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-SMD，扁平引線
供應商器件封裝：MPT6