RP1E090RPTR
PDF資料下載

RP1E090RPTR參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 9A MPT6

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品目錄繪圖： MOSFETP-ChannelMPT6
特色產(chǎn)品： ECOMOS?SeriesMOSFETs
標準包裝：1,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：9A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：16.9毫歐@9A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：30nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3000pF@10V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝：MPT6