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RJK2009DPM-00#T0參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1
系列：-
包裝：*
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：200V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：40A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：36 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：72nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2900pF @ 25V
功率 - 最大值：60W
安裝類型：*
封裝：*
供應(yīng)商器件封裝：*