RJK2009DPM-00#T0參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：1系列：-包裝：*FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：200V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：40A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：36 毫歐 @ 20A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：72nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2900pF @ 25V功率 - 最大值：60W安裝類型：*封裝：*供應(yīng)商器件封裝：*
