NE856M13-T3-A參數：TRANSISTOR NPN M13
類別：分立半導體產品-RF 晶體管 (BJT)標準包裝：10,000系列：-包裝：帶卷 (TR)晶體管類型：NPN電壓 - 集射極擊穿（最大值）：12V頻率 - 躍遷：4.5GHz噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）：1.4dB @ 1GHz增益：-功率 - 最大值：140mW不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 7mA，3V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-3供應商器件封裝：M13
