NE856M02-T1-AZ
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NE856M02-T1-AZ參數(shù)：TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-89

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-RF 晶體管 (BJT)
標準包裝：1,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
晶體管類型：NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：12V
頻率 - 躍遷：6.5GHz
噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：1.1dB ~ 3dB @ 1GHz
增益：-
功率 - 最大值：1.2W
不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：50 @ 20mA，10V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-243AA
供應(yīng)商器件封裝：SOT-89