NE662M16-T3-A
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NE662M16-T3-A參數(shù)：TRANSISTOR NPN 2GHZ M16

類別：分立半導體產(chǎn)品-RF 晶體管 (BJT)
標準包裝：10,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
晶體管類型：NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：3.3V
頻率 - 躍遷：25GHz
噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz
增益：20dB
功率 - 最大值：115mW
不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：50 @ 5mA，2V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：35mA
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-SMD，扁平引線
供應商器件封裝：6-迷你型模塑