NE662M16-A參數(shù)：TRANSISTOR NPN 2GHZ M16
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-RF 晶體管 (BJT)標(biāo)準(zhǔn)包裝：1系列：-包裝：散裝晶體管類型：NPN電壓 - 集射極擊穿（最大值）：3.3V頻率 - 躍遷：25GHz噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz增益：20dB功率 - 最大值：115mW不同?Ic、Vce?時(shí)的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：50 @ 5mA，2V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：35mA安裝類型：表面貼裝封裝：6-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝：6-迷你型模塑
