NE651R479A-A
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NE651R479A-A參數(shù)：HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A

類別：分立半導體產(chǎn)品-RF FET
產(chǎn)品變化通告： UPG,NE651SeriesObsolescence04/Feb/2013
產(chǎn)品目錄繪圖： NEx5Series
標準包裝：1
系列：-
包裝：散裝
晶體管類型：HFET
頻率：1.9GHz
增益：12dB
電壓-測試：3.5V
額定電流：1A
噪聲系數(shù)：-
電流-測試：50mA
功率-輸出：27dBm
電壓-額定：8V
封裝：4-SMD，扁平引線
供應商器件封裝：79A