NE651R479A-T1-A參數(shù)：HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A
類別：分立半導體產(chǎn)品-RF FET產(chǎn)品變化通告： UPG,NE651SeriesObsolescence04/Feb/2013標準包裝：1,000系列：-包裝：帶卷(TR)晶體管類型：HFET頻率：1.9GHz增益：12dB電壓-測試：3.5V額定電流：1A噪聲系數(shù)：-電流-測試：50mA功率-輸出：27dBm電壓-額定：8V封裝：4-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝：79A
