NDS336P參數(shù):MOSFET P-CH 20V 1.2A SSOT3
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification: MoldCompound07/Dec/2007標準包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):1.2A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):200毫歐@1.3A,4.5V不同Id時的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):8.5nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):360pF@10V功率-最大值:460mW安裝類型:表面貼裝封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供應(yīng)商器件封裝:3-SSOT