NDS336P
PDF資料下載

NDS336P參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 1.2A SSOT3

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
PCNDesign/Specification： MoldCompound07/Dec/2007
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：1.2A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：200毫歐@1.3A，4.5V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：8.5nC@4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：360pF@10V
功率-最大值：460mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：3-SSOT