MTD6N20ET4參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010標(biāo)準(zhǔn)包裝：10系列：-包裝：剪切帶(CT)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：200V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：6A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：700毫歐@3A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：21nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：480pF@25V功率-最大值：1.75W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：DPAK-3
