MTD6N20ET5G參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation27/Jan/2012標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：-包裝：帶卷(TR)FET類(lèi)型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：200V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：6A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：700毫歐@3A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：21nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：480pF@25V功率-最大值：1.75W安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：DPAK-3
