IXFN120N20
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IXFN120N20參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B

類別：半導(dǎo)體模塊-FET
標(biāo)準(zhǔn)包裝：10
系列：HiPerFET™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：200V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：120A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：17 毫歐 @ 500mA，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 8mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：360nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：9100pF @ 25V
功率 - 最大值：600W
安裝類型：底座安裝
封裝：SOT-227-4，miniBLOC
供應(yīng)商器件封裝：SOT-227B