IXFN120N20參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
類別：半導(dǎo)體模塊-FET標(biāo)準(zhǔn)包裝：10系列：HiPerFET™包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：200V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：120A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：17 毫歐 @ 500mA，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 8mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：360nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：9100pF @ 25V功率 - 最大值：600W安裝類型：底座安裝封裝：SOT-227-4，miniBLOC供應(yīng)商器件封裝：SOT-227B
