IXFN100N10S1參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
類別：半導(dǎo)體模塊-FET標(biāo)準(zhǔn)包裝：10系列：HiPerFET™包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：100A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：15 毫歐 @ 500mA，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 4mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：180nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：4500pF @ 25V功率 - 最大值：360W安裝類型：底座安裝封裝：SOT-227-4，miniBLOC供應(yīng)商器件封裝：SOT-227B
