IRF7342D2PBF
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IRF7342D2PBF參數(shù)：MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
標(biāo)準(zhǔn)包裝：95
系列：FETKY™
包裝：管件
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：二極管（隔離式）
漏源極電壓(Vdss)：55V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：3.4A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：105毫歐@3.4A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：38nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：690pF@25V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SO