IRF7341QTRPBF參數(shù):MOSFET N-CH DUAL 55V 8-SOIC
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列設計資源: IRF7341QTRPBFSaberModel IRF7341QTRPBFSpiceModel標準包裝:1系列:HEXFET®包裝:剪切帶(CT)FET類型:2個N溝道(雙)FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):55V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):5.1A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):50毫歐@5.1A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):44nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):780pF@25V功率-最大值:2.4W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm寬)供應商器件封裝:8-SO