IRF7341QTRPBF
PDF資料下載

IRF7341QTRPBF參數(shù)：MOSFET N-CH DUAL 55V 8-SOIC

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列
設計資源： IRF7341QTRPBFSaberModel IRF7341QTRPBFSpiceModel
標準包裝：1
系列：HEXFET®
包裝：剪切帶(CT)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：55V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：5.1A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：50毫歐@5.1A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：44nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：780pF@25V
功率-最大值：2.4W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應商器件封裝：8-SO