IRF7341PBF參數(shù)：MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)標(biāo)準(zhǔn)包裝：95系列：HEXFET®包裝：管件FET類型：2個(gè)N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：55V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：4.7A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：50毫歐@4.7A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：36nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：740pF@25V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SO
IRSOP82023+93350全新原廠原裝現(xiàn)貨
