IRF7202TR
PDF資料下載

IRF7202TR參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：1
系列：HEXFET®
包裝：剪切帶 (CT)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：2.5A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：250 毫歐 @ 1A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：15nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：270pF @ 20V
功率 - 最大值：1.6W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SO