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IRF7203TR參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：4,000
系列：HEXFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：4.3A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：100 毫歐 @ 2A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：40nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：750pF @ 20V
功率 - 最大值：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝：8-SO