IRF6785MTR1PBF
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IRF6785MTR1PBF參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
產(chǎn)品目錄繪圖： IRHexfetCircuit
設(shè)計資源： IRF6785MTR1PBFSaberModel IRF6785MTR1PBFSpiceModel
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：200V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：3.4A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：100毫歐@4.2A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@100µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：36nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1500pF@25V
功率-最大值：2.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝：DirectFET?等容MZ
供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET?MZ