IRF6729MTRPBF參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)設(shè)計(jì)資源： IRF6729MTR1PBFSaberModel IRF6729MTR1PBFSpiceModel標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,800系列：HEXFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：31A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.8毫歐@31A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.35V@150µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：63nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：6030pF@15V功率-最大值：2.8W安裝類型：表面貼裝封裝：DirectFET?等容MX供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET?MX
