IRF6721STR1PBF參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)產(chǎn)品目錄繪圖： IRHexfetCircuit設計資源： IRF6721STR1PBFSaberModel IRF6721STR1PBFSpiceModel標準包裝：1,000系列：HEXFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：14A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：7.3毫歐@14A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.4V@25µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：17nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1430pF@15V功率-最大值：2.2W安裝類型：表面貼裝封裝：DirectFET?等容SQ供應商器件封裝：DIRECTFET?SQ
