IRF6720S2TRPBF參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET-S1
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNObsolescence： Gen10.xProducts12/Dec/2012標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,800系列：HEXFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：11A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：8毫歐@11A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.35V@25µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：12nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1140pF@15V功率-最大值：1.7W安裝類型：表面貼裝封裝：DirectFET?等容S1供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFETS1
