IRF6718L2TR1PBF參數(shù)：MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)產(chǎn)品目錄繪圖： IRHexfetCircuit設(shè)計資源： IRF6718L2TR1PBFSaberModel IRF6718L2TR1PBFSpiceModel特色產(chǎn)品： IRF6718DirectFET?MOSFET標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：HEXFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：25V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：61A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：0.7毫歐@61A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.35V@150µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：96nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：6500pF@13V功率-最大值：4.3W安裝類型：表面貼裝封裝：DirectFET?等距L6供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFETL6
