IRF6718L2TR1PBF
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IRF6718L2TR1PBF參數(shù)：MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
產(chǎn)品目錄繪圖： IRHexfetCircuit
設計資源： IRF6718L2TR1PBFSaberModel IRF6718L2TR1PBFSpiceModel
特色產(chǎn)品： IRF6718DirectFET?MOSFET
標準包裝：1,000
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：25V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：61A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：0.7毫歐@61A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.35V@150µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：96nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：6500pF@13V
功率-最大值：4.3W
安裝類型：表面貼裝
封裝：DirectFET?等距L6
供應商器件封裝：DIRECTFETL6