IRF6706S2TRPBF參數(shù):MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單設(shè)計資源: IRF6706S2TR1PBFSaberModel IRF6706S2TR1PBFSpiceModelPCNObsolescence: Gen10.xProducts12/Dec/2012標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,800系列:HEXFET®包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):25V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):17A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):3.8毫歐@17A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):2.35V@25µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):20nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):1810pF@13V功率-最大值:1.8W安裝類型:表面貼裝封裝:DirectFET?等容S1供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFETS1