IRF6706S2TRPBF
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IRF6706S2TRPBF參數(shù)：MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
設(shè)計資源： IRF6706S2TR1PBFSaberModel IRF6706S2TR1PBFSpiceModel
PCNObsolescence： Gen10.xProducts12/Dec/2012
標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,800
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：25V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：17A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：3.8毫歐@17A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.35V@25µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：20nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1810pF@13V
功率-最大值：1.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝：DirectFET?等容S1
供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFETS1