IRF6702M2DTR1PBF參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：HEXFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：15A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：6.6 毫歐 @ 15A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：14nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1380pF @ 15V功率 - 最大值：2.7W安裝類型：表面貼裝封裝：DirectFET? 等容 MA供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET? MA
