IRF6616TR1
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IRF6616TR1參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品目錄繪圖： IRHexfetCircuit
設(shè)計資源： IRF6616SaberModel IRF6616SpiceModel
PCNObsolescence： (EP)Parts25/May/2012
標準包裝：1,000
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：19A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：5毫歐@19A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.25V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：44nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3765pF@20V
功率-最大值：2.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝：DirectFET?等容MX
供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET?MX